22

Thursday, October

Gimnazjum Kłobuck - nasze miasto i biblioteka

Fizyczne podstawy procesu implantacji
 /  / Fizyczne podstawy procesu implantacji
Fizyczne podstawy procesu implantacji

Fizyczne podstawy procesu implantacji

Fizyczne podstawy procesu implantacji
0 votes, 0.00 avg. rating (0% score)

rp_nauka6.jpgW procesie bombardowania płytek półprzewodnikowych jonami o energiach od kilkunastu keV do ? w praktycznych przypadkach ? kilkuset keV, jony w kolejnych zderzeniach z atomami i elektronami materiału bombardowanego tracą swą energię i w końcu zajmują położenia węzłowe ewentualnie międzywęzłowe w sieci kryształu. Zjawisko to, umożliwiające domieszkowanie materiałów, nazywamy implantacją jonów. Już w roku 1954 W. Shockley opatentował sam pomysł takiego domieszkowania półprzewodników. Po raz pierwszy F. M. Rourke i jego współpracownicy otrzymali na tej drodze dobre złącza p-n w roku 1961 . Od tego czasu zakres stosowania implantacji jonów stale powiększał się i dziś jest ona stosowana prawie w każdej nowoczesnej technologii. Pomiar prądu jonów jest bardzo dokładnym pomiarem elektrycznym. Umożliwia to dokładną kontrolę dawki jonów, tj. ilości domieszki wprowadzanej do materiału. Rozkład implantowanych jonów w dużym stopniu jest określany przez ich energię, tj. wielkość również mierzoną dokładnie metodami elektrycznymi. Zmiany dawki i energii jonów umożliwiają więc uzyskanie prawie dowolnych rozkładów zaimplantowanych domieszek.

Przeczytaj także: Wywoływanie

Wywołanie ma na celu usunięcie z określonych przez proces naświetlania obszarów warstwy kopiowej, odsłonięcie warstwy podłoża. Warunkiem prawidłowego przeprowadzenia procesu fotolitografii jest całkowite usunięcie zbędnej warstwy kopiowej. Jako roztwory wywołujące negatywowe warstwy kopiowe stosowane są zwykle rozpuszczalniki organiczne. Z reguły firmy produkujące warstwy kopiowe oferują również gotowe roztwory wywołujące, których składy chemiczne nie są publikowane. Wielu autorów podaje jednak metody wywoływania tych warstw z zastosowaniem rozpuszczalników znajdujących się w handlu. I tak np. warstwy oparte na pblicynamonianie winylu można wywoływać przy użyciu trójchloroetylenu, toluenu, eteru jednometylowego, glikolu etylenowego, chlorobenzenu lub ich mieszanin. Warstwy oparte na cis-poliizoprenie można wywoływać w rozpuszczalniku Stoddard Wiadomo, że większość firmowych roztworów wywołujących do tego typu warstw produkowanych przez firmy Kodak czy Hunt Chemicals zawiera jako główny składnik ksylen. Często w praktyce technologicznej stosuje się wyłącznie czysty ksylen. Roztwór wywołujący z uwagi na dużą wrażliwość procesu powinien być filtrowany bezpośrednio przed procesem. Nie powinien również zawierać wody, gdyż powoduje ona gwałtowne pogorszenie adhezji warstwy do podłoża. Proces wywoływania jest prowadzony albo metodą zanurzeniową, albo przez natrysk roztworu wywołującego na płytę .

Pozostałe artykuły o szkole i nauce:

About the author:

Related posts